SIHG22N60EL-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247AC-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

57 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

227 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Breite:

5.31 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

66 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

SIHG22N60E, SIHG22N60, SIHG22N6, SIHG22, SIHG2, SIHG, SIH