BSC750N10ND G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

62 mOhms, 62 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC, 11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

26 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

OptiMOS 2

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.5 S, 6.5 S

Abfallzeit:

3 ns, 3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns, 4 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns, 13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 9 ns

Teil # Aliase:

BSC750N10NDGATMA1 BSC75N1NDGXT SP000359610

Gewichtseinheit:

0.003527 oz

Tags

BSC750N10NDG, BSC750N10ND, BSC75, BSC7, BSC