FDMA908PZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MicroFET-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW, 2.4 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Serie:

FDMA908PZ

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

60 S

Abfallzeit:

71 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

131 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

FDMA90, FDMA9, FDMA, FDM