NID6002NT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

70 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

210 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

14 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

NID6002N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

660 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

250 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

840 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

96 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NID6002N, NID600, NID6, NID