FDC637BNZ

FDC637BNZ
Mfr. #:
FDC637BNZ
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDC637BNZ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
FDC637BNZ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Fairchild
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
PowerTrenchR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Gewichtseinheit
0.001270 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
SuperSOT-6
Aufbau
Single Quad Drain
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
800mW
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
895pF @ 10V
FET-Funktion
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
6.2A (Ta)
Rds-On-Max-Id-Vgs
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
12nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
1.6 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
6 ns
Anstiegszeit
6 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
24 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
22 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
8 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
FDC637BNZ, FDC637B, FDC637, FDC63, FDC6, FDC
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 6.2A, 24mΩ
***ark
TAPE REEL/20V, 6.2A, 24 m ohm,NCH SPECIFIED POWER TRENCH MOSFET
***rchild Semiconductor
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.
Fairchild PowerTrench MOSFETs
PowerTrench® MOSFETs
ON Semiconductor PowerTrench® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These MOSFETs offer both N-Channel and P-Channel versions that are optimized for low RDS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.  
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDC637BNZ
DISTI # FDC637BNZCT-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
2458In Stock
  • 1000:$0.1291
  • 500:$0.1721
  • 100:$0.2510
  • 10:$0.3660
  • 1:$0.4700
FDC637BNZ
DISTI # FDC637BNZDKR-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
2458In Stock
  • 1000:$0.1291
  • 500:$0.1721
  • 100:$0.2510
  • 10:$0.3660
  • 1:$0.4700
FDC637BNZ
DISTI # FDC637BNZTR-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
On Order
  • 3000:$0.1149
FDC637BNZ
DISTI # FDC637BNZ
ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R (Alt: FDC637BNZ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 3000:€0.1359
  • 6000:€0.1059
  • 12000:€0.0859
  • 18000:€0.0729
  • 30000:€0.0679
FDC637BNZ
DISTI # FDC637BNZ
ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R - Tape and Reel (Alt: FDC637BNZ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 6000
Container: Reel
Americas - 0
  • 6000:$0.0749
  • 12000:$0.0749
  • 18000:$0.0739
  • 30000:$0.0729
  • 60000:$0.0709
FDC637BNZ
DISTI # FDC637BNZ
ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R (Alt: FDC637BNZ)
RoHS: Compliant
Min Qty: 6000
Container: Tape and Reel
Asia - 0
    FDC637BNZ
    DISTI # 78M0921
    ON Semiconductor20V 6.2A 24 M O NCH / REEL ROHS COMPLIANT: YES0
    • 1:$0.1150
    • 9000:$0.1050
    • 24000:$0.0990
    • 45000:$0.0890
    FDC637BNZ
    DISTI # 84W8849
    ON SemiconductorMOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.021OHM, 6.2A, SUPERSOT-6,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:6.2A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.021ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$0.3770
    • 25:$0.2880
    • 50:$0.2240
    • 100:$0.1590
    • 250:$0.1460
    • 500:$0.1340
    • 1000:$0.1210
    FDC637BNZ
    DISTI # 512-FDC637BNZ
    ON SemiconductorMOSFET 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench
    RoHS: Compliant
    1459
    • 1:$0.3700
    • 10:$0.2810
    • 100:$0.1520
    • 1000:$0.1140
    • 3000:$0.0990
    FDC637BNZ
    DISTI # 2322581
    ON SemiconductorMOSFET, N CH, 20V, 6.2A, SUPERSOT-6
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$0.5860
    • 10:$0.4450
    • 100:$0.2410
    • 1000:$0.1810
    • 3000:$0.1570
    FDC637BNZ
    DISTI # 2322581
    ON SemiconductorMOSFET, N CH, 20V, 6.2A, SUPERSOT-6
    RoHS: Compliant
    0
    • 5:£0.2450
    • 25:£0.2360
    • 100:£0.1200
    • 250:£0.1160
    • 500:£0.0959
    Bild Teil # Beschreibung
    FDC6320C

    Mfr.#: FDC6320C

    OMO.#: OMO-FDC6320C

    MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH
    FDC6392S

    Mfr.#: FDC6392S

    OMO.#: OMO-FDC6392S

    MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated
    FDC610PZ-NL

    Mfr.#: FDC610PZ-NL

    OMO.#: OMO-FDC610PZ-NL-1190

    Neu und Original
    FDC6306P

    Mfr.#: FDC6306P

    OMO.#: OMO-FDC6306P-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    FDC6321C

    Mfr.#: FDC6321C

    OMO.#: OMO-FDC6321C-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
    FDC6324L   SOT163-324

    Mfr.#: FDC6324L SOT163-324

    OMO.#: OMO-FDC6324L-SOT163-324-1190

    Neu und Original
    FDC6333L

    Mfr.#: FDC6333L

    OMO.#: OMO-FDC6333L-1190

    Neu und Original
    FDC6401N-NL

    Mfr.#: FDC6401N-NL

    OMO.#: OMO-FDC6401N-NL-1190

    Neu und Original
    FDC645N(645)

    Mfr.#: FDC645N(645)

    OMO.#: OMO-FDC645N-645--1190

    Neu und Original
    FDC6327C-CUT TAPE

    Mfr.#: FDC6327C-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-FDC6327C-CUT-TAPE-1190

    Neu und Original
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1000
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von FDC637BNZ dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,10 $
    0,10 $
    10
    0,10 $
    0,95 $
    100
    0,09 $
    9,03 $
    500
    0,09 $
    42,65 $
    1000
    0,08 $
    80,30 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
    Beginnen mit
    Top