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SI7858ADP-T1-GE3

SI7858ADP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7858ADP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7858ADP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7858ADP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET/PowerPAK
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
1.9 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
40 ns
Anstiegszeit
40 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
20 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
12 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
2.6 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
140 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
40 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7858ADP-T, SI7858AD, SI7858A, SI7858, SI785, SI78, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ure Electronics
12V, 29A, 2.6mohm, N-Channel, Powerpak SO-8
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 12V, 20A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 12V, 20A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):2.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:950mV
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7858ADP-T1-GE3
DISTI # SI7858ADP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7858ADP-T1-GE3
    DISTI # SI7858ADP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7858ADP-T1-GE3
      DISTI # SI7858ADP-T1-GE3TR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$1.0857
      SI7858ADP-T1-GE3
      DISTI # SI7858ADP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7858ADP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 3000:$1.0639
      • 6000:$1.0319
      • 12000:$0.9899
      • 18000:$0.9629
      • 30000:$0.9369
      SI7858ADP-T1-GE3
      DISTI # 33P5434      		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 12V, 20A, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:20A,Drain Source Voltage Vds:12V,On Resistance Rds(on):0.0026ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:950mV RoHS Compliant: Yes0
      • 1:$2.2600
      • 2000:$2.1600
      • 4000:$2.0200
      • 8000:$1.8800
      • 12000:$1.8000
      • 20000:$1.7800
      SI7858ADP-T1-GE3
      DISTI # 26R1939      		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 12V, 20A,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:20A,Drain Source Voltage Vds:12V,On Resistance Rds(on):0.0026ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:950mV,No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes0
      • 1:$3.5100
      • 25:$2.9100
      • 50:$2.6500
      • 100:$2.3900
      • 250:$2.3200
      • 500:$2.0800
      • 1000:$1.7500
      SI7858ADP-T1-GE3
      DISTI # 781-SI7858ADP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
      RoHS: Compliant      		1416
      • 1:$3.5100
      • 10:$2.9100
      • 100:$2.3900
      • 250:$2.3200
      • 500:$2.0800
      • 1000:$1.7500
      • 3000:$1.6700
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7858ADP-T1-E3

      Mfr.#: SI7858ADP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7858ADP-T1-E3

      		 MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
      SI7858ADP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7858ADP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7858ADP-T1-GE3

      		 MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
      SI7858ADP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7858ADP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7858ADP-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
      SI7858ADP-T1-E3-CUT TAPE

      Mfr.#: SI7858ADP-T1-E3-CUT TAPE

      OMO.#: OMO-SI7858ADP-T1-E3-CUT-TAPE-1190

      		 Neu und Original
      SI7858ADP

      Mfr.#: SI7858ADP

      OMO.#: OMO-SI7858ADP-1190

      		 Neu und Original
      SI7858ADP-T1-E3

      Mfr.#: SI7858ADP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7858ADP-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von SI7858ADP-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
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      Menge
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      ext. Preis
      1
      1,41 $
      1,41 $
      10
      1,34 $
      13,35 $
      100
      1,26 $
      126,48 $
      500
      1,19 $
      597,25 $
      1000
      1,12 $
      1 124,30 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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