2SD1758TLR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

CPT-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

32 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SD1758

DC-Stromverstärkung hFE Max:

390

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

5.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

10 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SD1758T, 2SD1758, 2SD175, 2SD17, 2SD1, 2SD