RZM001P02T2L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-723-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

1.2 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.3 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

RZM001P02

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Kleinsignal-MOSFET

Breite:

0.9 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

120 ms

Abfallzeit:

137 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

62 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

325 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

46 ns

Teil # Aliase:

RZM001P02

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

RZM001, RZM00, RZM