AUIRF7739L2TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DirectFET-L8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

270 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

220 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.74 mm

Länge:

9.15 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

7.1 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

42 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

71 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

56 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Teil # Aliase:

SP001522042

Tags

AUIRF7739, AUIRF773, AUIRF77, AUIRF7, AUIRF, AUIR, AUI