BC846AWT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

65 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BC846AWT1

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.24 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

90

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000219 oz

Tags

BC846AWT, BC846AW, BC846A, BC846, BC84, BC8