DCP69-25-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

DCP69

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50 at 5 mA, 10 V

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.5 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at 5 mA, 10 V, 60 at 1 A, 1 V, 160 at 500 mA, 1 V

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

DCP69, DCP6, DCP