NTD4806N-35G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.14 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

NTD4806N

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FETs - MOSFETs

Breite:

2.38 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S

Abfallzeit:

7.8 ns, 4.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29.7 ns, 23.8 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.3 ns, 26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.9 ns, 8.5 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD4806, NTD480, NTD48, NTD4, NTD