IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P
Mfr. #:
IXTA1R4N120P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Darlington Transistors MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTA1R4N120P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IXTA1R4N120
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.081130 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
Polar
Paket-Koffer
TO-252-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
86 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
29 ns
Anstiegszeit
27 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
1.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
4.5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
10.5 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
78 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
25 ns
Qg-Gate-Ladung
24.8 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
0.8 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXTA1R4N12, IXTA1R4, IXTA1R, IXTA1, IXTA, IXT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTA1R4N120PTRL
DISTI # C1S331700150134
IXYS CorporationMOSFETs800
  • 800:$2.5100
IXTA1R4N120P
DISTI # IXTA1R4N120P-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 50:$3.5640
IXTA1R4N120P
DISTI # 747-IXTA1R4N120P
IXYS CorporationMOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
RoHS: Compliant
284
  • 1:$4.6300
  • 10:$4.1400
  • 25:$3.6000
  • 50:$3.5300
  • 100:$3.4000
  • 250:$2.9000
  • 500:$2.7500
  • 1000:$2.3200
  • 2500:$1.9900
Bild Teil # Beschreibung
IXTA1R6N100D2

Mfr.#: IXTA1R6N100D2

OMO.#: OMO-IXTA1R6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
IXTA1R4N100P

Mfr.#: IXTA1R4N100P

OMO.#: OMO-IXTA1R4N100P

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
IXTA1R6N50D2

Mfr.#: IXTA1R6N50D2

OMO.#: OMO-IXTA1R6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
IXTA1R6N100D2HV

Mfr.#: IXTA1R6N100D2HV

OMO.#: OMO-IXTA1R6N100D2HV

MOSFET DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2
IXTA1R6N100D2-TRL

Mfr.#: IXTA1R6N100D2-TRL

OMO.#: OMO-IXTA1R6N100D2-TRL

MOSFET IXTA1R6N100D2 TRL
IXTA1R4N120P-TRL

Mfr.#: IXTA1R4N120P-TRL

OMO.#: OMO-IXTA1R4N120P-TRL

MOSFET IXTA1R4N120P TRL
IXTA1R4N100P TRL

Mfr.#: IXTA1R4N100P TRL

OMO.#: OMO-IXTA1R4N100P-TRL-1190

Neu und Original
IXTA1R4N120PTRL

Mfr.#: IXTA1R4N120PTRL

OMO.#: OMO-IXTA1R4N120PTRL-1190

MOSFETs
IXTA1R6N100D2

Mfr.#: IXTA1R6N100D2

OMO.#: OMO-IXTA1R6N100D2-IXYS-CORPORATION

Darlington Transistors MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
IXTA1R4N100P

Mfr.#: IXTA1R4N100P

OMO.#: OMO-IXTA1R4N100P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXTA1R4N120P dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
2,98 $
2,98 $
10
2,84 $
28,36 $
100
2,69 $
268,65 $
500
2,54 $
1 268,65 $
1000
2,39 $
2 388,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top