IRFH4213DTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.6 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

FastIRFet

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

340 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Teil # Aliase:

SP001556336

Tags

IRFH4213, IRFH421, IRFH4, IRFH, IRF