NP180N04TUG-E1-AY

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

260 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

288 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Renesas Elektronik

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

107 S

Abfallzeit:

21 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

43 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

104 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

54 ns

Gewichtseinheit:

0.077603 oz

Tags

NP180N04TU, NP180N04, NP180N, NP180, NP18, NP1