SSN1N45BBU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

450 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.25 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

50 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.7 S

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Teil # Aliase:

SSN1N45BBU_NL

Gewichtseinheit:

0.006314 oz

Tags

SSN1N, SSN1, SSN