STP1N105K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.05 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Rohr

Serie:

STP1N105K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP1, STP