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MTP10N10ELG

MTP10N10ELG
Mfr. #:
MTP10N10ELG
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 100V 10A Logic Level N-Channel
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
MTP10N10ELG Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
MTP10N10ELG DatasheetMTP10N10ELG Datasheet (P4-P6)MTP10N10ELG Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
15 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
40 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.28 mm
Länge:
10.28 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
MOSFET
Breite:
4.82 mm
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
7.9 S
Abfallzeit:
38 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
74 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
11 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
MTP10N10E, MTP10N10, MTP10N1, MTP10N, MTP10, MTP1, MTP
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Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
TRIAC, POWER MOSFET; TO-220; N; 100; 100; 10A DRAIN; 40W; 3.13; -55; 150; 100
***Semiconductor
Power MOSFET 10 Amps, 100 Volts, Logic Level
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:10A; On Resistance, Rds(on):220mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.22ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:1.45V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:35A; No. of Pins:3; Power Dissipation:40W; Power, Pd:40W; Resistance, Rds on Max:0.22ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:2V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
MTP10N10ELG
DISTI # MTP10N10ELGOS-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 350
Container: Tube		Limited Supply - Call
    MTP10N10ELG
    DISTI # 863-MTP10N10ELG    		ON SemiconductorMOSFET 100V 10A Logic Level N-Channel
    RoHS: Compliant    		0
      MTP10N10EL
      DISTI # 863-MTP10N10EL      		ON SemiconductorMOSFET 100V 10A Logic Level
      RoHS: Not compliant      		0
        Bild Teil # Beschreibung
        MTP1013S3

        Mfr.#: MTP1013S3

        OMO.#: OMO-MTP1013S3-1190

        		 Neu und Original
        MTP103M300ISCS1

        Mfr.#: MTP103M300ISCS1

        OMO.#: OMO-MTP103M300ISCS1-1190

        		 Neu und Original
        MTP10N05

        Mfr.#: MTP10N05

        OMO.#: OMO-MTP10N05-1190

        		 Neu und Original
        MTP10N10

        Mfr.#: MTP10N10

        OMO.#: OMO-MTP10N10-1190

        		 Neu und Original
        MTP10N10E

        Mfr.#: MTP10N10E

        OMO.#: OMO-MTP10N10E-1190

        		 Neu und Original
        MTP10N10EL

        Mfr.#: MTP10N10EL

        OMO.#: OMO-MTP10N10EL-1190

        		 MOSFET 100V 10A Logic Level
        MTP10N10ELG

        Mfr.#: MTP10N10ELG

        OMO.#: OMO-MTP10N10ELG-ON-SEMICONDUCTOR

        		 MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
        MTP10N10M

        Mfr.#: MTP10N10M

        OMO.#: OMO-MTP10N10M-1190

        		 MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR
        MTP10N15

        Mfr.#: MTP10N15

        OMO.#: OMO-MTP10N15-1190

        		 Neu und Original
        MTP10N35

        Mfr.#: MTP10N35

        OMO.#: OMO-MTP10N35-1190

        		 Neu und Original
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
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