ZXM61N02FTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

3.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

806 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.02 mm

Länge:

3.04 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXM61N02

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.3 S

Abfallzeit:

4.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

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