ZXTC2062E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V, 100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

215 MHz, 290 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTC2062

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V at NPN, 280 at 1 A, 2 V at NPN, 140 at 4 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 170 at 1 A, 2 V at PNP, 65 at 3.5 A, 2 V at PNP

Pd - Verlustleistung:

1700 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXTC2062, ZXTC206, ZXTC2, ZXTC, ZXT