BUK762R0-40C,118

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

175 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

333 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.5 mm

Länge:

10.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET

Breite:

9.4 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

119 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

133 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

146 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

65 ns

Tags

BUK762R0, BUK762R, BUK762, BUK76, BUK7, BUK