CXT2222A TR TIN/LEAD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

75 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

CXT2222A

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

600 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

100 at 150 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

CXT2222AT, CXT2222A, CXT22, CXT2, CXT