APT30M19JVR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

130 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

975 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

APT30M19, APT30M1, APT30M, APT30, APT3, APT