STS9NF30L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

18 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

5 mm

Serie:

STS9NF30L

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

13 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

STS9NF, STS9N, STS9, STS