DMN5L06DWK-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

305 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

490 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

5 V

Qg - Gate-Ladung:

0.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN5L06

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.35 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

200 mS

Abfallzeit:

8.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.1 ns

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

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