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RDN080N25FU6

RDN080N25FU6
Mfr. #:
RDN080N25FU6
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET POWER MOSFET TR; TO-220FN; DRIVE VOLTAGE - 4V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RDN080N25FU6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RDN080N25FU6 DatasheetRDN080N25FU6 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
250 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
380 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
4 V
Qg - Gate-Ladung:
15 nC
Pd - Verlustleistung:
35 W
Aufbau:
Single
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
ROHM Halbleiter
Produktart:
MOSFET
Unterkategorie:
MOSFETs
Teil # Aliase:
RDN080N25
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
RDN080N, RDN08, RDN0, RDN
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RDN080N25FU6
DISTI # RDN080N25FU6-ND		ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Bulk		Limited Supply - Call
    RDN080N25FU6
    DISTI # N/A    		ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET TR,TO-220FN,DRIVE VOLTAGE - 4V0
      Bild Teil # Beschreibung
      RDN080N25FU6

      Mfr.#: RDN080N25FU6

      OMO.#: OMO-RDN080N25FU6

      		 MOSFET POWER MOSFET TR; TO-220FN; DRIVE VOLTAGE - 4V
      RDN080

      Mfr.#: RDN080

      OMO.#: OMO-RDN080-1190

      		 Neu und Original
      RDN080N25

      Mfr.#: RDN080N25

      OMO.#: OMO-RDN080N25-1190

      		 Neu und Original
      RDN080N25FU6

      Mfr.#: RDN080N25FU6

      OMO.#: OMO-RDN080N25FU6-ROHM-SEMI

      		 MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
      RDN080N25FV6

      Mfr.#: RDN080N25FV6

      OMO.#: OMO-RDN080N25FV6-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2500
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