NP90N04VUG-E1-AY

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

90 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

105 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Renesas Elektronik

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

51 S

Abfallzeit:

11 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

32 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

NP90N04VUG-E, NP90N04VUG, NP90N04VU, NP90N04V, NP90N04, NP90N, NP90, NP9