SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4966DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4966DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI4966DY-GE3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
2W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
-
Rds-On-Max-Id-Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
50nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
40 ns
Anstiegszeit
40 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
25 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
90 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
40 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4966DY-T, SI4966D, SI4966, SI496, SI49, SI4
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4966DY-T1-GE3
DISTI # SI4966DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4966DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4966DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4966DY-T1-E3

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      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3
      SI4966DY-T1-GE3

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      OMO.#: OMO-SI4966DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V
      SI4966DY

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      OMO.#: OMO-SI4966DY-1190

      MOSFET 20V 7.1A 2W
      SI4966DY-E3

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      MOSFET 20V 7.1A 2W
      SI4966DY-T1

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      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-E3
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      MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
      SI4966DYT1

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