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RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1908FE(TE85L,F)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1908FE(TE85L,F) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1908FE(TE85L,F) DatasheetRN1908FE(TE85L,F) Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
Aufbau:
Dual
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
22 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
0.468
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
ES-6
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
80
Maximale Betriebsfrequenz:
250 MHz
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
100 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Spule
Emitter- Basisspannung VEBO:
7 V
Marke:
Toshiba
Kanalmodus:
Erweiterung
Maximaler DC-Kollektorstrom:
100 mA
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
4000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1908FE(T, RN1908F, RN1908, RN190, RN19, RN1
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
RN1908FE(TE85L,F)

Mfr.#: RN1908FE(TE85L,F)

OMO.#: OMO-RN1908FE-TE85L-F-

 Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=250MHz
RN1908FE

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OMO.#: OMO-RN1908FE-1190

 Neu und Original
RN1908FE(TE85LF)CT-ND

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