SQ1912EH-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

800 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

200 mOhms, 200 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

1.15 nC, 1.15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.6 S, 2.6 S

Abfallzeit:

17 ns, 17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns, 21 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns, 19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns, 3 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

SQ1912E, SQ191, SQ19, SQ1