QPD1008L

QPD1008L
Mfr. #:
QPD1008L
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1008L Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
QPD1008L Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
17.5 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
4 A
Ausgangsleistung:
162 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
127 W
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
NI-360
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
3.2 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
QPD1008LPCB401
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.8 V
Tags
QPD100, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***W
RF Transistor, DC - 3.2 GHz, 125 W, 50 V, GaN, Eared NI-360
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD1008L
DISTI # QPD1008L-ND
RF Micro Devices IncRF TRANSISTOR 125W 50V NI-360
RoHS: Compliant
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    QPD1008L
    DISTI # 772-QPD1008L
    QorvoRF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
    RoHS: Compliant
    43
    • 1:$200.0000
    • 25:$173.0000
    Bild Teil # Beschreibung
    GRF5020

    Mfr.#: GRF5020

    OMO.#: OMO-GRF5020

    RF Amplifier .01-6GHz Gain 17dB OP1dB 30.5dBm
    TQP7M9104

    Mfr.#: TQP7M9104

    OMO.#: OMO-TQP7M9104

    RF Amplifier 700-4000MHZ 5VOLT GAIN 15.8DB NF 4.4DB
    QPA6489ATR13

    Mfr.#: QPA6489ATR13

    OMO.#: OMO-QPA6489ATR13

    RF Amplifier DC-3500MHz NF3.4dB P1dB 19.4dBm
    AD8211YRJZ-RL7

    Mfr.#: AD8211YRJZ-RL7

    OMO.#: OMO-AD8211YRJZ-RL7

    Current Sense Amplifiers IC High VTG
    CGHV40180F

    Mfr.#: CGHV40180F

    OMO.#: OMO-CGHV40180F

    RF JFET Transistors GaN HEMT
    T2G6003028-FL

    Mfr.#: T2G6003028-FL

    OMO.#: OMO-T2G6003028-FL

    RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
    BAT54GWJ

    Mfr.#: BAT54GWJ

    OMO.#: OMO-BAT54GWJ

    Schottky Diodes & Rectifiers BL Bipolar Discretes
    AD8211YRJZ-RL7

    Mfr.#: AD8211YRJZ-RL7

    OMO.#: OMO-AD8211YRJZ-RL7-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

    Current Sense Amplifiers IC High VTG
    QPA6489ATR13

    Mfr.#: QPA6489ATR13

    OMO.#: OMO-QPA6489ATR13-1152

    RF Amplifier DC-3500MHz NF3.4dB P1dB 19.4dBm
    T2G6003028-FL

    Mfr.#: T2G6003028-FL

    OMO.#: OMO-T2G6003028-FL-318

    RF JFET Transistors DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
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    Available
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    1
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    200,00 $
    25
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