RAQ045P01TCR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-457T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

RAQ045P01

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.8 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

150 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

400 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Teil # Aliase:

RAQ045P01

Tags

RAQ0, RAQ