STP22N60DM6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

240 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

20.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

130 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

MDmesh

Verpackung:

Rohr

Serie:

STL22N65M5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

35.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.4 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.5 ns

Tags

STP22N, STP22, STP2, STP