QS6Z5TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-457T-6

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

130 mV, - 200 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A, - 1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

360 MHz, 400 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

450 at 50 mA, 2 V, 450 at - 50 mA, - 2 V

Verpackung:

Spule

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A, - 1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180 at 50 mA, 2 V, 180 at - 50 mA, - 2 V

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

QS6Z5

Tags

QS6