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V20120SG-E3/4W

V20120SG-E3/4W
Mfr. #:
V20120SG-E3/4W
Hersteller:
Vishay Semiconductors
Beschreibung:
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
V20120SG-E3/4W Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
V20120SG-E3/4W DatasheetV20120SG-E3/4W Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
V20120SG-E3/4W Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
RoHS:
E
Produkt:
Schottky-Gleichrichter
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Wenn - Vorwärtsstrom:
20 A
Vrrm - Repetitive Sperrspannung:
120 V
Vf - Durchlassspannung:
1.33 V
Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:
150 A
Aufbau:
Einzel-Doppelanode
Technologie:
Si
Ir - Gegenstrom:
250 uA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Rohr
Höhe:
8.89 mm
Länge:
10.54 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 150 C
Abschlussart:
Durchgangsloch
Typ:
Schottky Diode
Breite:
4.7 mm
Marke:
Vishay Semiconductors
Produktart:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
Dioden & Gleichrichter
Handelsname:
TMBS
Gewichtseinheit:
0.065257 oz
Tags
V20120SG, V20120S, V2012, V201, V20
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Diode Schottky 120V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***i-Key
DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB
***
20A 120V SKY TO220AB
***ark
Diode; Diode Type:Schottky; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:120V; Forward Current, If(AV):20A; Forward Surge Current Max, Ifsm:150A; Forward Voltage Max, VF:0.88V; Junction Temperature, Tj max:150°C ;RoHS Compliant: Yes
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
The Vishay Semiconductors V, VB, and VF Trench MOS Barrier Schottky Rectifierseries delivers extremely low forward voltage drop and superior switchingperformance for improved efficiency of switchmode power supplies(SMPS).The low VF reduces power loss and improves efficiency of the OR-ingdiode in the high-voltage output of redundant SMPS for servers,industrial computers, and telecommunication systems. The Vishay Semiconductors device comes in various packages and is optimized for 40W to 800W high-frequency SMPS applications. The Trench MOS Barrier Schottky Rectifier can be used as an alternative to synchronous rectification solutions while matching their efficiency and thermal performance.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
V20120SG-E3/4W
DISTI # V20120SG-E3/4WGI-ND		Vishay SemiconductorsDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.5983
V20120SG-E3/4W
DISTI # 625-V20120SG-E3		Vishay IntertechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.3300
  • 10:$1.1000
  • 100:$0.8400
  • 500:$0.7220
  • 1000:$0.6340
V20120SG-E3/4WVishay IntertechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOSAmericas -
    Bild Teil # Beschreibung
    V20120S-E3/4W

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    OMO.#: OMO-V20120S-E3-4W

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
    V20120SHM3/4W

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    		 Schottky Diodes & Rectifiers RECOMMENDED ALT 78-V20PW12HM3/I
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    OMO.#: OMO-V20120S-E3-1190

    		 Neu und Original
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    		 Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
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    		 Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
    V20120SGHM3/4W

    Mfr.#: V20120SGHM3/4W

    OMO.#: OMO-V20120SGHM3-4W-VISHAY

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.
    V20120S-M3/4W

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    OMO.#: OMO-V20120S-M3-4W-VISHAY

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.
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    84,00 $
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