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TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG2S0HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58NYG2S0HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TC58NYG2S0HBAI6 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VFBGA-67
Speichergröße:
4 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
512 M x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
338
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TC58NYG2S0H, TC58NYG2S0, TC58NYG2, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
***et
4Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58NYG2S0HBAI6
DISTI # V99:2348_18852635		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA26
  • 2500:$3.2660
  • 1000:$3.2780
  • 500:$3.4360
  • 250:$3.5660
  • 100:$3.5750
  • 50:$3.9590
  • 25:$3.9770
  • 10:$4.0590
  • 1:$4.4450
TC58NYG2S0HBAI6
DISTI # TC58NYG2S0HBAI6		Toshiba America Electronic Components4Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG2S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 3380:$2.4900
  • 2028:$2.5900
  • 676:$2.6900
  • 1352:$2.6900
  • 338:$2.7900
TC58NYG2S0HBAI6_TRAY
DISTI # TC58NYG2S0HBAI6_TRAY		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Memory (Alt: TC58NYG2S0HBAI6_TRAY)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
    TC58NYG2S0HBAI6
    DISTI # 757-TC58NYG2S0HBAI6    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		336
    • 1:$4.5900
    • 10:$4.1600
    • 25:$4.0700
    • 50:$4.0500
    • 100:$3.6300
    • 250:$3.6200
    • 500:$3.4800
    • 1000:$3.3100
    • 2500:$3.1600
    Bild Teil # Beschreibung
    74736-0222

    Mfr.#: 74736-0222

    OMO.#: OMO-74736-0222-409

    		 I/O Connectors XFP CAGE ASSY W/HEAT SINK
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    336
    Auf Bestellung:
    2319
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    Der aktuelle Preis von TC58NYG2S0HBAI6 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    4,90 $
    4,90 $
    10
    4,47 $
    44,70 $
    50
    4,35 $
    217,50 $
    100
    3,91 $
    391,00 $
    250
    3,89 $
    972,50 $
    500
    3,65 $
    1 825,00 $
    1000
    3,49 $
    3 490,00 $
    2500
    3,38 $
    8 450,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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