TK8R2E06PL,S1X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

75 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

28 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

81 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

TK8R2E06PL

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Tags

TK8R, TK8