IRFH7188TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

105 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

132 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StarkIRFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

109 S

Abfallzeit:

3.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.9 ns

Teil # Aliase:

SP001556442

Tags

IRFH718, IRFH71, IRFH7, IRFH, IRF