IXBT12N300HV

IXBT12N300HV
Mfr. #:
IXBT12N300HV
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXBT12N300HV Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXBT12N300HV DatasheetIXBT12N300HV Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-268-2
Montageart:
SMD/SMT
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
3 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
30 A
Pd - Verlustleistung:
160 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
Sehr hohe Spannung
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
30 A
Marke:
IXYS
Gate-Emitter-Leckstrom:
+/- 100 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Handelsname:
BIMOSFET
Gewichtseinheit:
0.141096 oz
Tags
IXBT1, IXBT, IXB
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Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 3000V 30A 160W TO268
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXBT12N300HV
DISTI # IXBT12N300HV-ND
IXYS CorporationIGBT 3000V 30A 160W TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$25.3470
IXBT12N300HV
DISTI # 747-IXBT12N300HV
IXYS CorporationIGBT Transistors
RoHS: Compliant
48
  • 1:$28.4000
  • 5:$26.9800
  • 10:$26.2700
  • 25:$24.1400
  • 50:$23.5600
  • 100:$22.4400
  • 250:$20.5900
Bild Teil # Beschreibung
SIRA01DP-T1-GE3

Mfr.#: SIRA01DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIRA01DP-T1-GE3

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IXBT42N300HV

Mfr.#: IXBT42N300HV

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SIRA01DP-T1-GE3

Mfr.#: SIRA01DP-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8
Verfügbarkeit
Aktie:
46
Auf Bestellung:
2029
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Referenzpreis (USD)
Menge
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1
28,40 $
28,40 $
5
26,98 $
134,90 $
10
26,27 $
262,70 $
25
24,14 $
603,50 $
50
23,56 $
1 178,00 $
100
22,44 $
2 244,00 $
250
20,59 $
5 147,50 $
500
19,60 $
9 800,00 $
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