NTMD2C02R2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

43 mOhms, 100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

80 ns, 35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns, 40 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns, 15 ns

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

NTMD2C02R2, NTMD2C, NTMD2, NTMD, NTM