TPH3R003PL,LQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-Advance-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

134 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

50 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

90 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

5.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Tags

TPH3R0, TPH3R, TPH3, TPH