2N7002P,215

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

360 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

0.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

420 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel Trench MOSFET

Breite:

1.4 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.000882 oz

Tags

2N7002P,2, 2N7002P, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7