ZXT4M322TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-322-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 70 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 70 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 175 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

180 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300

Höhe:

0.95 mm

Länge:

2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 2.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 175 at 1 A, 5 V, 40 at 1.5 A, 5 V

Pd - Verlustleistung:

3000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXT