RFG60P05E

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

215 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

RFG60P05, RFG60P0, RFG60P, RFG60, RFG6, RFG