SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7892BDP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7892BDP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
V
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7892BDP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET/PowerPAK
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
13 ns
Anstiegszeit
13 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
25 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
4.2 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
62 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7892BDP-T, SI7892BD, SI7892B, SI7892, SI789, SI78, SI7
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:25000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7892BDP-T1-GE3
DISTI # SI7892BDP-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    SI7892BDP-T1-GE3
    DISTI # SI7892BDP-T1-GE3DKR-ND
    Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3TR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)
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      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3
      Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7892BDP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel
      Americas - 0
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      • 12000:$0.8279
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      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3
      Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7892BDP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape and Reel
      Asia - 0
        SI7892BDP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7892BDP-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
        RoHS: Compliant
        2576
        • 1:$1.9000
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        SI7892BDPT1GE3Vishay Intertechnologies 
        RoHS: Compliant
        Europe - 3000
          Bild Teil # Beschreibung
          SI7892BDP-T1-E3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-E3

          MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
          SI7892BDP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-GE3

          MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
          SI7892BDP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-GE3-VISHAY

          RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
          SI7892BDP

          Mfr.#: SI7892BDP

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-1190

          Neu und Original
          SI7892BDP-T1

          Mfr.#: SI7892BDP-T1

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-1190

          Neu und Original
          SI7892BDP-T1-E3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-E3-VISHAY

          MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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          478,65 $
          1000
          0,90 $
          901,00 $
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