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APT75GP120J

APT75GP120J
Mfr. #:
APT75GP120J
Hersteller:
Microchip / Microsemi
Beschreibung:
IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
APT75GP120J Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
APT75GP120J DatasheetAPT75GP120J Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1.2 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
3.3 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
128 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
100 nA
Pd - Verlustleistung:
543 W
Paket / Koffer:
SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.6 mm
Länge:
38.2 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 150 C
Breite:
25.4 mm
Marke:
Mikrochip / Mikrosemi
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
IGBTs
Handelsname:
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
Gewichtseinheit:
1.058219 oz
Tags
APT75GP120J, APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
APT75GP120J Series 1200 V 128 A Chassis Mount Power MOS 7® IGBT - SOT-227
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 128A 543000mW 4-Pin SOT-227
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
***i-Key
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
***hardson RFPD
POWER IGBT TRANSISTOR
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
APT75GP120JDQ3
DISTI # APT75GP120JDQ3-ND		Microsemi CorporationIGBT 1200V 128A 543W SOT227
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		623In Stock
  • 250:$33.7722
  • 100:$36.1845
  • 30:$38.5967
  • 10:$41.7330
  • 1:$44.6300
APT75GP120J
DISTI # APT75GP120J-ND		Microsemi CorporationIGBT 1200V 128A 543W SOT227
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		127In Stock
  • 250:$31.4160
  • 100:$33.6600
  • 30:$35.9040
  • 10:$38.8210
  • 1:$41.5100
APT75GP120J
DISTI # 494-APT75GP120J		Microsemi CorporationIGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
RoHS: Compliant		16
  • 1:$40.7000
  • 2:$39.5900
  • 5:$38.5000
  • 10:$37.4000
  • 25:$34.7600
  • 50:$33.9100
  • 100:$32.4000
  • 250:$29.6100
APT75GP120JDQ3
DISTI # 494-APT75GP120JDQ3		Microsemi CorporationIGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
RoHS: Compliant		129
  • 1:$43.7500
  • 2:$42.5600
  • 5:$41.3900
  • 10:$40.2000
  • 25:$37.3600
  • 50:$36.4500
  • 100:$34.8300
  • 250:$31.8300
APT75GP120JDQ3APT Semiconductor 4
    APT75GP120J
    DISTI # APT75GP120J    		Microsemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR
    RoHS: Compliant    		0
    • 12:$29.4300
    • 100:$28.6900
    • 500:$28.3300
    APT75GP120JDQ3
    DISTI # APT75GP120JDQ3    		Microsemi CorporationPOWER IGBT TRANSISTOR
    RoHS: Compliant    		9874
    • 11:$31.6300
    • 100:$30.8400
    • 500:$30.4500
    Bild Teil # Beschreibung
    APT2X101D100J

    Mfr.#: APT2X101D100J

    OMO.#: OMO-APT2X101D100J

    		 Rectifiers FG, FRED, 1000V, 100A, SOT-227
    APT2X101D100J

    Mfr.#: APT2X101D100J

    OMO.#: OMO-APT2X101D100J-MICROSEMI

    		 Rectifiers
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1993
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    40,70 $
    40,70 $
    2
    39,59 $
    79,18 $
    5
    38,50 $
    192,50 $
    10
    37,40 $
    374,00 $
    25
    34,76 $
    869,00 $
    50
    33,91 $
    1 695,50 $
    100
    32,40 $
    3 240,00 $
    250
    29,61 $
    7 402,50 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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