SI7684DP-T1-GE3

SI7684DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7684DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7684DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7684DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
17.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
9 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SI7684D, SI7684, SI768, SI76, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:20000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.1V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7684DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7684DP-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.0200
  • 6000:$0.9760
SI7684DP-T1-GE3
DISTI # 2478975
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$4.1200
SI7684DP-T1-GE3
DISTI # 2478975
Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC
RoHS: Compliant
0
  • 3000:£2.5680
Bild Teil # Beschreibung
SI7684DP-T1-E3

Mfr.#: SI7684DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7684DP-T1-E3

MOSFET 30V 20A 27.5W
SI7684DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7684DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7684DP-T1-GE3

MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
SI7684DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7684DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7684DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V
SI7684DP-T1-E3

Mfr.#: SI7684DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7684DP-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 20A 27.5W
SI7684DP

Mfr.#: SI7684DP

OMO.#: OMO-SI7684DP-1190

Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von SI7684DP-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
1,46 $
1,46 $
10
1,39 $
13,91 $
100
1,32 $
131,76 $
500
1,24 $
622,20 $
1000
1,17 $
1 171,20 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top