FD6M016N03

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

EPM-15

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

10.7 mm

Länge:

26.2 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

2.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

65 ns

Werkspackungsmenge:

19

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Tags

FD6M, FD6