HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F
Mfr. #:
HN1B01F-GR(TE85L,F
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
HN1B01F-GR(TE85L,F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SM-6
Polarität des Transistors:
PNP
Aufbau:
Dual
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
50 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
0.1 V
Maximaler DC-Kollektorstrom:
150 mA
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
80 MHz
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Serie:
HN1B01
DC-Stromverstärkung hFE Max:
400
Verpackung:
Spule
Marke:
Toshiba
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Pd - Verlustleistung:
300 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
HN1B01F-GR(TE, HN1B01F-GR(T, HN1B01F-G, HN1B01, HN1B0, HN1B, HN1
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    2019-02-06
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    2019-04-03
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    2019-06-22
    B***i
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    Good

    2019-01-27
***ical
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SM T/R
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
HN1B01F-GR(TE85L,F
DISTI # C1S751200944884
Toshiba America Electronic ComponentsGP BJT
RoHS: Not Compliant
5250
  • 1000:$0.3790
  • 600:$0.3970
  • 200:$0.4170
HN1B01F-GR(TE85L,F
DISTI # HN1B01F-GR(TE85LFCT-ND
Toshiba America Electronic ComponentsTRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    HN1B01F-GR(TE85L,F
    DISTI # HN1B01F-GR(TE85LFDKR-ND
    Toshiba America Electronic ComponentsTRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      HN1B01F-GR(TE85L,F
      DISTI # 757-HN1B01F-GRTE85LF
      Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
      RoHS: Compliant
      8887
      • 1:$0.5700
      • 10:$0.3200
      • 100:$0.1400
      • 1000:$0.1100
      • 3000:$0.0800
      • 24000:$0.0700
      • 45000:$0.0600
      HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba America Electronic Components 513
        Bild Teil # Beschreibung
        HN1A01F-GR(TE85L,F

        Mfr.#: HN1A01F-GR(TE85L,F

        OMO.#: OMO-HN1A01F-GR-TE85L-F

        Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
        2SC2712-GR,LF

        Mfr.#: 2SC2712-GR,LF

        OMO.#: OMO-2SC2712-GR-LF

        Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V
        2SB1561T100Q

        Mfr.#: 2SB1561T100Q

        OMO.#: OMO-2SB1561T100Q

        Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 2A
        HN1C01F-GR(TE85L,F

        Mfr.#: HN1C01F-GR(TE85L,F

        OMO.#: OMO-HN1C01F-GR-TE85L-F

        Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
        2SD2391T100Q

        Mfr.#: 2SD2391T100Q

        OMO.#: OMO-2SD2391T100Q

        Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
        NSVJ5908DSG5T1G

        Mfr.#: NSVJ5908DSG5T1G

        OMO.#: OMO-NSVJ5908DSG5T1G

        JFET NCH+NCH J-FET
        2SK2145-BL(TE85L,F

        Mfr.#: 2SK2145-BL(TE85L,F

        OMO.#: OMO-2SK2145-BL-TE85L-F

        JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
        AFM907NT1

        Mfr.#: AFM907NT1

        OMO.#: OMO-AFM907NT1

        RF MOSFET Transistors RF Power
        LT3094EMSE#PBF

        Mfr.#: LT3094EMSE#PBF

        OMO.#: OMO-LT3094EMSE-PBF

        LDO Voltage Regulators -20V, 500mA Ultralow Noise/PSRR LDO
        ERJ-12ZYJ132U

        Mfr.#: ERJ-12ZYJ132U

        OMO.#: OMO-ERJ-12ZYJ132U

        Thick Film Resistors - SMD 2010 1.3Kohms 5% AEC-Q200
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        1988
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        ext. Preis
        1
        0,57 $
        0,57 $
        10
        0,32 $
        3,20 $
        100
        0,14 $
        14,00 $
        1000
        0,11 $
        110,00 $
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