PBSS304ND,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

140 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240 at 500 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.7 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

240 at 500 mA, 2 V, 190 at 1 A, 2 V, 115 at 2 A, 2 V, 70 at 3 A, 2 V, 45 at 4 A, 2 V, 35 at 5 A, 2 V, 25 at 6 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS304ND T/R

Gewichtseinheit:

0.000416 oz

Tags

PBSS304ND, PBSS304N, PBSS304, PBSS30, PBSS3, PBSS, PBS